В Samsung создан твердотельный накопитель ёмкостью 32 Тбайт

Компания Samsung Electronics на мероприятии Flash Memory Summit 2016 в Санта-Кларе (Калифорния, США) продемонстрировала твердотельный накопитель (SSD) вместимостью 32 Тбайт.

Сообщается, что устройство хранения данных выполнено на основе 512-гигабитных флеш-чипов памяти Vertical NAND (V-NAND ) четвёртого поколения. Технология V-NAND предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это позволяет получить трёхмерную структуру микрочипа и в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади.

В новом накопителе Samsung использованы 512 чипов V-NAND, сгруппированных в 16 слоёв. В сумме они дают указанную ёмкость в 32 Тбайт.

Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма; для подключения применяется интерфейс Serial Attached SCSI (SAS). Устройство рассчитано на использование в оборудовании корпоративного класса.

Массовое производство новинки планируется организовать в следующем году. Информации об ориентировочной цене пока нет. 

Источник:

http://www.3dnews.ru/937610/?feed

Чемпионат России по биатлону: финальный блок командной гонки в миксте Корнаухов объяснил, чего ЦСКА не хватило в дерби с «Динамо» Алена Рапунцель рассказала о 15-сантиметровой опухоли и тромбе в шее Фьючерс Mix-12.26 Mxz6: что важно знать перед торговлей и как оценить риски Тест по истории России: проверьте знания о ключевых событиях и эпохах