Новый завод Samsung приступит к выпуску 3D NAND раньше срока

08.10.2016 4:32

Новый завод Samsung приступит к выпуску 3D NAND раньше срока

Амбициозные планы компании Samsung Electronics по сближению розничных цен на SSD и жёсткие диски были бы невозможны без перехода на многослойную память NAND-флеш или, как её называют, 3D NAND. За счёт перехода на вертикальные многослойные структуры себестоимость хранения данных в пересчёте на площадь полупроводникового кристалла начала снижаться быстрее, чем если бы производители просто продолжали снижать масштаб техпроцесса для выпуска планарной памяти NAND.

Новый завод Samsung приступит к выпуску 3D NAND раньше срока

В переходе на выпуск 3D NAND компания Samsung идёт впереди планеты всей. В текущем году она приступила к массовому выпуску третьего поколения 32-слойных микросхем и к концу года начнёт выпуск одних из первых в индустрии 64-слойных микросхем 3D NAND. Но для настоящей экспансии этого мало. Необходимы новые цеха и заводы. Мы уже знаем, что в следующем году Samsung будут вводить в строй новый завод вблизи города Пхёнтхэк (Pyeongtaek). Однако потребность в новой энергонезависимой памяти такова, что компания сделала всё от неё зависящее, чтобы новое предприятие заработало раньше запланированного.

Новый завод Samsung приступит к выпуску 3D NAND раньше срока

Новый завод Samsung в Южной Корее (http://www.koreaherald.com)

По сообщению южнокорейских источников, предприятие Samsung Line 18 в Пхёнтхэк будет запущено на один квартал раньше — в декабре этого года, а к апрелю начнёт выпускать первую серийную продукцию. Отмечается, что с линий Line 18 сразу начнут сходить 64-слойные микросхемы 3D NAND. Объём производства линий первой очереди составит 40-50 тыс. 300-мм пластин в месяц. Всего для достижения проектной мощности нового завода предусмотрен поэтапный запуск четырёх очередей линий или производство 200 тыс. пластин в месяц.

Новый завод Samsung приступит к выпуску 3D NAND раньше срока

overclock3d.net

Предприятие в Пхёнтхэк станет крупнейшим в мире полупроводниковым заводом с общей площадью полов 2,89 млн квадратных метров. Сумма инвестиций в проект составит 15,6 трлн вон (примерно $14 млрд). Инвестиции в первую очередь линий потребовали вложений до 3,5 млрд вон (до $3,2 млрд). К слову, в третьем квартале наметился рост спроса на модули флеш-памяти eMMC. Из-за нехватки этих компонентов для смартфонов микросхемы флеш-памяти подорожают до конца года на 15 %. С вводом в строй нового завода Samsung, скорее всего, опасность дефицита микросхем флеш-памяти будет в корне ликвидирована.

Источник:

http://www.3dnews.ru/940458/?feed

Ходьба и аэробика спасет человечество от старческого слабоумия Приёмные отцы влияют на поведение певчих птиц сильнее родных Игровая мышь Mionix Naos QG следит за физическим состоянием пользователя «Газпром» проведет спутниковую связь в северные районы Хабаровского края Ученые: Ранний диабет первого типа сокращает жизнь женщин на 18 лет