Toshiba и Western Digital отпраздновали открытие завода по выпуску 3D NAND

18.07.2016 13:26

Toshiba и Western Digital отпраздновали открытие завода по выпуску 3D NAND

В пятницу утром представители компаний Toshiba и Western Digital провели торжественное мероприятие по открытию в Японии завода Fab 2 по выпуску микросхем флеш-памяти типа 3D NAND. Это предприятие создано на месте старого завода Toshiba в Йоккаити. Строительство новых корпусов на месте снесённых зданий стартовало в сентябре 2014 года. В декабре 2015 года часть работ была завершена, что позволило уже в марте 2016 года начать выпуск ограниченных партий многослойных микросхем флеш-памяти.

Toshiba и Western Digital отпраздновали открытие завода по выпуску 3D NAND

Работы по модернизации Fab 2 были начаты компаниями Toshiba и SanDisk. В мае этого года компания SanDisk стала собственностью подразделения Western Digital Technologies Inc, которое, в свою очередь, принадлежит корпорации Western Digital Corporation. Таким образом, честь открытия нового производства в Японии досталась представителям WDC.

Toshiba и Western Digital отпраздновали открытие завода по выпуску 3D NAND

Корпуса Fab 2 (Toshiba)

Из всех ведущих производителей флеш-памяти компании Toshiba с WDC последними приступили к массовому выпуску многослойной памяти 3D NAND. Первой три года назад многослойную флеш-память начала выпускать компания Samsung. В прошлом году к ней присоединились компании Micron и SK Hynix. Впрочем, они только в текущем году начали выпускать 3D NAND в значимых объёмах и обе номинально выпускают уже второе поколение фирменных многослойных микросхем 3D NAND. Таким образом, Toshiba и WDC завершили формальную трансформацию отрасли при переходе от массового выпуска 2D NAND к 3D NAND.

Toshiba и Western Digital отпраздновали открытие завода по выпуску 3D NAND

Производственные помещения Fab 2 (Toshiba)

Предприятие Fab 2 в Йоккаити состоит из двух пятиэтажных корпусов. Общая площадь рабочих цехов составляет 27 600 м2. На момент публикации пресс-релиза всё ещё нет окончательно утверждённого плана производства. Он будет зависеть от рыночной ситуации. Обе компании инвестируют в расширение мощностей на Fab 2 не менее 860 млрд иен в течение следующих 24 месяцев (примерно $8,2 млрд). Эта сумма, к примеру, сопоставима с расходами на совершенствование производства памяти компаниями Micron и SK Hynix, но в два раза меньше планируемых расходов Samsung на те же цели.

Аналитики ожидали от Toshiba и WDC вдвое больших затрат. Не исключено, что так и будет, а пока компании и нас с вами можно поздравить с новым работающим предприятием. Флеш-памяти много не бывает!

Источник:

http://www.3dnews.ru/936226/?feed

В океанских водах близ Панамы ученые нашли новый вид кораллов Снижается интеллект и гибнут птицы: Города уверенно уничтожают жизнь на Земле AT&T вместе с Nokia добилась скорости 10 Гбит/с для связи 5G Ученые обсуждают существование таинственной девятой планеты Уфологи-любители нашли доказательства существования «секретной базы» на Луне