В Samsung создан твердотельный накопитель ёмкостью 32 Тбайт

Компания Samsung Electronics на мероприятии Flash Memory Summit 2016 в Санта-Кларе (Калифорния, США) продемонстрировала твердотельный накопитель (SSD) вместимостью 32 Тбайт.

Сообщается, что устройство хранения данных выполнено на основе 512-гигабитных флеш-чипов памяти Vertical NAND (V-NAND ) четвёртого поколения. Технология V-NAND предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это позволяет получить трёхмерную структуру микрочипа и в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади.

В новом накопителе Samsung использованы 512 чипов V-NAND, сгруппированных в 16 слоёв. В сумме они дают указанную ёмкость в 32 Тбайт.

Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма; для подключения применяется интерфейс Serial Attached SCSI (SAS). Устройство рассчитано на использование в оборудовании корпоративного класса.

Массовое производство новинки планируется организовать в следующем году. Информации об ориентировочной цене пока нет. 

Источник:

http://www.3dnews.ru/937610/?feed

Ученые создали совершенное лекарство для экстренного лечения гриппа Синие киты способны превращаться из «правшей» в «левшей» Контакт с космическими пришельцами будет установлен в ближайшие 20 лет – эксперт Учёные: Снижение артериального давления свидетельствует о смерти через 18 лет Ученые допустили, что шизофрения поражает не только мозг, но и все тело